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Korean Chemical Engineering Research, Vol.42, No.4, 465-470, August, 2004
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종이 있는 회분식 결정화기에서 미세입자가 입도분포에 미치는 영향
The Effect of Fine Particles on the Crystal Size Distribution in the Seeded Batch Crystallizer
한현각†, LeeJayH1
  • 순천향대학교 신소재화학공학부, 336-745 충남 아산시 신창면 읍내리 646
  • 1Georgia Technical Institute School of Chemical and Biomolecular Engineering, Atlanta
Hyun Kak Han†, and Jay H. Lee1
  • Department of New-material and Chemical Engineering, Soonchunhyang University, 646, Eupnae-ri Shinchang-myun, Asan-si, Chungnam, 336-745, Korea
  • 1School of Chemical and Biomolecular Engineering, Georgia Technical Institute, Atlanta, USA
E-mail:
초록
결정화 공정에서, 입도분포, 결정의 형태, 순도 등은 결정 생성물의 질과 공정의 흐름을 결정하는 중요한 요소이다. KDP(KH2PO4, 2 수소 인산칼륨) 회분식 공정에서 미세입자가 입도분포에 미치는 영향을 연구하였다. 이 공정은 다차원 입자군 수지식과 이와 관련한 미분 대수식으로 나타낸다. High resolution 법으로 해를 구한 식은 최적화와 공정제어 연구를 위한 기초식이 되었다. 미세입자를 제거하지 않으면, 미세입자가 결정의 입도분포에 많은 영향을 미치나, 3%의 미세입자가 제거되는 경우, 결정의 입도분포에는 영향이 없었다.
In the crystallization processes, the CSD, shape, and purity determine the product quality and ease of the downstream processing. The effect of the fine particles on the CSD in a KDP (potassium dihydrogen phosphate, KH2PO4) batch crystallization process is investigated. The process is presented by multidimensional population balance and related differential-algebraic equations. These equations, solved using high resolution methods, are basis for an optimization and control study. When no fine particles are removed, they significantly have an effect on the CSD. Within 3% fine particles removing shows less effect on the CSD.
Keywords:CSD;Fine Particles Removal;Population Density;High Resolution Method;KDP Batch Crystallization
  1. Randolph AD, Larson MA, "Theory of Particulated Processes", 2nd ed., Academic Press, New York (1988)
  2. Shin YJ, Yun CH, Lee CS, Int. Chem. Eng., 26, 348 (1986)
  3. Han HK, Lee SI, Lee CS, HWAHAK KONGHAK, 28(1), 58 (1990)
  4. Lee SI, Han HK, Lee CS, J. Institute of Ind. Tech. Korea Univ., 27, 33 (1991)
  5. Han HK, Lee SI, Lee CS, Korean J. Chem. Eng., 10(2), 100 (1993)
  6. Lee SI, Lee CS, HWAHAK KONGHAK, 32(4), 600 (1994)
  7. Lee SI, Han HK, Lee CS, HWAHAK KONGHAK, 40(5), 588 (2002)
  8. Braatz RD, Hasebe S, Chemical Process Control VI, AIChE Press, New York (2002)
  9. Eek RA, Dijkstra S, Ind. Eng. Chem. Res., 34(2), 567 (1995) 
  10. Gunawan R, Ma DL, Fujiwara M, Braatz RD, Int. J. of Modern Physics B, 16, 346 (2002) 
  11. Kind M, Nieken U, Chem. Eng. Process., 34(3), 323 (1995) 
  12. Ma DL, Tafti DK, Braatz RD, Comput. Chem. Eng., 26(7-8), 1103 (2002) 
  13. Ma DL, Tafti DK, Braatz RD, Ind. Eng. Chem. Res., 41(25), 6217 (2002) 
  14. Rawlings JB, Miller SM, Witkowski WR, Ind. Eng. Chem. Res., 32, 1275 (1993) 
  15. Robertson DG, Lee JH, J. of Process Control, 5(4), 291 (1995) 
  16. Togkalidou T, Fujiwara M, Patel S, Braatz RD, J. of Crystal Growth, 23, 534 (2001)