Applied Chemistry, Vol.11, No.1, 201-204, May, 2007
ZnOxS1-x 복합반도체의 형성으로 인한 band-gap energy 변화 및 가시광 흡광성 향상
Formation of ZnOxS1-x composite semiconductor and its bandgap modification resulted in enhanced visible light absorptivity
선행 연구에서는 넓은 에너지갭을 가지는 ZnS와 ZnO를 동일한 몰비로 공침시켜 ZnS-ZnS 복합반도체를 제조하였다. 이 복합반도체의 향상된 가시광 흡광성은 ZnS와 ZnO 계면에서의 화학 결합에 기인한 것이었다. 본 연구에서는 이 화학 결합을 ZnOxS1-x라고 명명하고, 그 비율을 공침시키는 ZnS와 ZnO의 몰비로 조절하고자 하였다. 최적의 가시광 흡광성은 ZnS와 ZnO의 몰비 1:3에서 얻어졌으며 제조된 ZnOxS1-x의 bandgap modifocation을 규명하였다.