Polymer(Korea), Vol.12, No.8, 686-692, December, 1988
전기화학적으로 중합한 폴리아닐린의 전기적 성질
Electrical Properties of Electrochemically Polymerized Polyaniline
초록
아닐린과 황산이 함유된 수용액에서 아닐린을 전기화학적으로 산화시켜 폴리아닐린 필름을 제조했으며 필름의 두께는 1미크론 정도였다. 필름표면은 피브릴 구조를 나타내었고 각 피브릴은 직경이 1000-2000 옹스트롬이었으며 임의의 방향으로 배향되어 있었다. 폴리아 닐린 위에 프라즈다 중합된 폴리(N,N''-디페닐-p-페닐 렌디아민) (PDP) 박막과 금속(M) 막을 입혀 M/PDP/환원상태의 폴리아닐린(PA) /Au MIS 소자를 제조했다. Al/PDP/PA/Au 소자는 정류효과를 나타내었지만 Al/PDP/산화상태의 폴리아닐린/Au 소자는 오믹거동을 나타내었다. 로그전기 전도도 대 1/T의 그라프로부터 활성화에너지 0.13eV를 얻었으며 1/C2대 V의 그라프로부터 확산전위 3.37V. 전자 수용체 밀도 2.25×1019/cm3 및 공핍층폭 130 옹스트롬의 값을 얻었다.
Polyaniline was prepared by electrochemical oxidation of aniline in aqueous solution containing aniline and sulfuric acid. The polyaniline films were about 1 micron thick. The film surface was composed of randomly oriented fibrils with diameter of 1000-2000Å. The M/PDP/reduced polyaniline (PA)/Au MIS cells were fabricated by coating a thin plasma-polymerized poly(N, N''-diphenyl-p-phenylene diamine) (PDP) film on polyaniline and then a metal(M). The Al/PDP/PA/Au cell showed rectifying effect but the Al/PDP oxidized polyaniline/Au cell showed ohmic behavior. An activation energy of 0.13eV was estimated from the plot of log conductivity versus 1/T. A diffusion potential of 3.37V, an acceptor density of 2.25×1019/cm3, and a depletion layer width of 130Å were estimated from the plot of 1 /C2 versus V.