화학공학소재연구정보센터
번호 제목
20 Air Tunnel Fabrication in GaN/Sapphire for Chemical Lift-off
Woo Seop Jeong, Hyun-A Ko, Seunghee Cho, Min Joo Ahn, Doo Won Lee, Kyu-Yeon Shim, Seong Ho Kang, Dongjin Byun
한국재료학회 2018년 가을 학술대회
19 Influence of AlN Buffer Layer Crystallinity on the Properties of GaN Epilayer on Sapphire by MOCVD
김대식, 정우섭, 조승희, 김철, 변동진
한국재료학회 2016년 봄 학술대회
18 The effect of AlN Buffer Layer in GaN films on Patterned Sapphire Substrate
이창민, 이제행, 이도한, 김대식, 강병훈, 조성찬, 변동진
한국재료학회 2013년 가을 학술대회
17 Characteristics of Gallium Nitride (GaN) Films Grown By a Solution Coating Method Using Ga(mDTC)3 Precursor
박승배, 김홍탁, 박진호
한국화학공학회 2011년 봄 학술대회
16 A new attempt to Epitaxial lateral overgrowth of GaN
변동진
한국화학공학회 2010년 가을 학술대회
15 Electrochemical Potentiostatic Activation and Its Application for Enhancing Blue LED Efficiency
KIM Bongjun, Kim Hakjun, Lee Junekey
한국재료학회 2010년 가을 학술대회
14 Properties of GaN Epitaxial Films on Silicon Substrates Grown by MHVPE (Modified Hydride Vapor Phase Epitaxy) and Seed-solution Method
홍기남, 김동욱, 김홍탁, 박진호
한국화학공학회 2010년 봄 학술대회
13 GaN films synthesized by inductive coupled PECVD
김동욱, 홍기남, 김홍탁, 박진호
한국화학공학회 2009년 가을 학술대회
12 Growth of Epitaxial Gallium Nitride film on c-plane Sapphire using Ga(mDTC)3 precursor by MHVPE
홍기남, 김동욱, 김홍탁, 박진호
한국화학공학회 2009년 가을 학술대회
11 Novel Activation by Electrochemical Potentiostatic Method
이학형, 이준기, 정동렬, 권광우, 김익현
한국재료학회 2009년 봄 학술대회