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Recovery of Electrical Properties by Surface Treatment after Mesa Etching in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes
강형곤, 최락준, 한명수, 윤창주, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 가을 학술대회 |
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Optical characteristics of GaN-based quantum structures|Optical characteristics of GaN-based quantum structures
조용훈
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
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유전알고리즘과 조합화학을 이용한 형광체 개발|A Search for Red Phosphors Using a Computational Evolutionary Optimization Process
이재문, 유정곤, 박덕현, 손기선
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
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InGaN/GaN QW 발광 다이오드의 전기적 성질에 대한 도펀트 농도의 효과
강형곤, 최락준, 이형재, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 봄 학술대회 |
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삼각형 양자우물 구조로 성장한 InGaN/GaN 발광 다이오드의 전기적·광학적 특성 향상
최락준, 이형재, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 봄 학술대회 |
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n-전극 위치에 따른 InGaN/GaN 다중 양자우물 발광 다이오드의 전기적·광학적 특성
최락준, 한명수, 강형곤, 이 석, 이형재, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 봄 학술대회 |
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InGaN/GaN 다중 양자우물 발광 다이오드의 플라즈마 식각 손상 특성|Plasma-Induced Etch Damage of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes
최락준,최창선,박형조,한윤봉|Rak-Jun Choi,Chang-Sun Choi,Hyung-Jo Park,Yoon-Bong Hahn
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회 |
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식각 손상된 InGaN/GaN 다중 양자우물 발광 다이오드의 전기적 특성 회복|Improvement of Etch-Damaged Electrical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes
최락준,박형조,최창선,한윤봉|Rak-Jun Choi,Hyung-Jo Park,Chang-Sun Choi,Yoon-Bong Hahn
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회 |
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p-GaN층에 따른 InGaN/GaN 다중 양자우물 발광 다이오드의 전기.광학적 특성|Effects of p-GaN Layer on Electrical and Optical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes
최락준,한윤봉|Rak-Jun Choi,Yoon-Bong Hahn
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회 |
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나노 크기의 InGaN/GaN 다층양자우물 LED의 제조|Fabrication of Nano Multiple Quantum Well InGaN/GaN Light-Emitting Diodes
한윤봉|Y. B. Hahn
한국화학공학회 2002년 봄 학술대회 |
