번호 | 제목 |
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AlGaN/GaN 이종접합구조의 향상된 전기적 특성을 위한 성장 조건|Growth Condition for Improved Electrical Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructures 최재홍, 강호재, 박현규, 이도한, 진정근, 변동진 한국재료학회 2005년 가을 학술대회 |
4 |
AlGaN/GaN 이종접합구조의 Al 함량에 따른 I-V 특성.|I-V property of hetero-structure AlGaN/GaN as Al contents growth on the sapphire(0001) by MOCVD. 박현규, 진정근, 연대흠, 최재홍, 권영석, 이종한, 변동진 한국재료학회 2005년 가을 학술대회 |
3 |
MBE를 이용한 격자 부정합을 가지는 InxGa1-xAs/GaAs 이종 접합 구조의 성장과 특성 평가|Growth and characterization of InxGa1-xAs/GaAs lattice mismatched heterostructure by Molecular beam epitaxy 노경석, 황숙현, 김재규, 한덕선, 전민현 한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
2 |
p-CuInSe2/n-CdS 이종접합 태양 전지 제작과 특성|Fabracation and properties for p-CuInSe2/n-CdS heterojunction solar cells 윤석진, 홍광준 한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
1 |
직접접합 Si3N4∥SiO2 실리콘 기판쌍의 선형가열에 의한 보이드결함 제거|Eliminating Voids using a Fast Linear Annealing in Direct Bonded Si/Si3N4∥SiO2/Si Wafer Paires 정영순, 송오성 한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |