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Improvement of electroluminescent efficiency by inserting interfacial exciton blocking layerin electrophosphorescent organic light emitting diodes
김지환, 김주현, 윤도영, 김장주
한국고분자학회 2005년 가을 학술대회 |
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HfO2/SiOxNy/Si 게이트 구조의 열처리에 따른 열적 안정성과 전기적 특성|Thermal Stability and Electrical Characteristics on Annealing of HfO2/SiOxNy/Si Gate Dielectric Structure
최지훈, 김석훈, 강현석, 우상현, 홍형석, 전형탁
한국재료학회 2005년 가을 학술대회 |
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다이렉트 플라즈마와 리모트 플라즈마 원자층 증착법으로 증착한 하프늄 산화막의 물리적, 전기적 특성에 관한 연구|The Characteristics of HfO2 Thin High-k Gate Oxide Deposited by Direct and Remote Plasma Atomic Layer Deposition Methods.
김인회, 국승우, 김석훈, 전형탁
한국재료학회 2005년 가을 학술대회 |
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열처리시 Si 기판과 zirconate 박막 사이에 형성되는 다층 구조 분석|Interfacial multi-layer formation between a thin zirconate film and a silicon substrate during thermal treatment
허재성, 최훈상, 백상열, 손창식, 최인훈
한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
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Solid phase reaction을 통해 제조한 HfSiON 의 특성|Characterization of HfSiON as gate dielectrics fabricated by solid phase reaction
고한경, 이태호, 김철성, 안진호
한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
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전자사이크로트론공명플라즈마 상온화학증착에 의해 제조된 Cu/C 박막특성 (특강)|Characteristics of Cu/C films on polymer substrates prepared at room temperature by ECR-MOCVD
이중기|Joong Kee Lee
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회 |
