화학공학소재연구정보센터
번호 제목
3 Angular dependence of Si3N4 etch rates and SiO2­ to ­Si3N4 etch selectivity in a C4F6/Ar/O2/CH2F2 plasma
조성운, 이진관, 문상흡, 김창구
한국화학공학회 2009년 가을 학술대회
2 고밀도 CHF3 플라즈마 식각에서 바이어스 전압과 이온의 입사각에 따른 photoresist의 식각 속도와 SiO2에 대한 식각 선택도의 변화
강세구, 민재호, 이진관, 문상흡
한국화학공학회 2005년 가을 학술대회
1 CHF3 플라즈마에서 다공성 저유전율 물질 식각의 각도 의존성|Angular Dependence of Porous Low-k Material Etch Rate in a CHF3 Plasma
황성욱,이겨레,민재호,문상흡|Sung-Wook Hwang,Gyeo-Re Lee,Jae-Ho Min,Sang Heup Moon
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회