화학공학소재연구정보센터
번호 제목
18 ANTIMONY SURFACTANT EFFECT ON GREEN EMISSION InGaN/GaN MULTI QUANTUM WELLS GROWN BY MOCVD
이영곤, Giri Sadasivam Karthikeyan, 백광선, 이준기
한국재료학회 2010년 가을 학술대회
17 GaN계 발광다이오드에서 3차원 전류분포가 신뢰성특성에 미치는 영향
심종인
한국재료학회 2008년 가을 학술대회
16 유기금속화학기상증착법을 이용한 자기조립 InGaN/GaN 양자점 구조의 성장 거동 및 특성에 관한 연구 (Growth behavior and characterization of self-assembled InGaN/GaN quantum dot structure by metal-organic chemical vapor deposition)
장재민, 최승규, 정우광
한국재료학회 2007년 가을 학술대회
15 InGaN/GaN single quantum well의 광학적 특성 및 전기적 특성의 변화에 미치는 ion beam 조사의 영향 (Influence of ion beam bombardment of sapphire substrate on optical and electrical characteristic of InGaN/GaN single quantum well)
최승규, 장재민, 정우광
한국재료학회 2007년 봄 학술대회
14 MOCVD를 이용한 InGaN/GaN 기반 발광다이오드 구조 제작과 발광다이오드에의 응용
주진우, 강은실, 백종협, 이인환
한국재료학회 2007년 봄 학술대회
13 Well protection layer as a novel pathway to increase indium composition: a route towards green emission from blue InGaN/GaN multiple quantum well
Jin-Woo Ju, Lee-Woon Jang, Hwa-Soo Kim, Haeng-Keun Ahn, In-Hwan Lee
한국재료학회 2007년 봄 학술대회
12 암모니아 주기적 중단에 의한 자기조립 InGaN 양자점 형성(Fabrication of self-assembled InGaN Quantum Dots by ammonia periodic interrupt)
최승규, 장재민, 이성학, 김정아, 정우광
한국재료학회 2006년 가을 학술대회
11 AlGaN/GaN 레이저 다이오드의 열 특성 분석|Analysis of thermal characteristics of AlGaN/GaN laser diode
황웅준, 이태희, 남옥현, 김형근, 곽준섭, 박용조, 신무환
한국재료학회 2004년 가을 학술대회
10 Electrical and Optical Properties of InGaN/GaN Quantum Well Light-Emitting Diodes with N-GaN Layer
최락준, 이형재, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 가을 학술대회
9 Recovery of Electrical Properties by Surface Treatment after Mesa Etching in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes
강형곤, 최락준, 한명수, 윤창주, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 가을 학술대회