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Plasma Source Ion Implantation법을 이용한 금속 박막층과 Polyimide 계면 사이에 관한 연구|A study of Interfaces between Metal Layer Thickness Ion Implanted with Plasma Source Ion Implantation and Polyimide.
조본구, 이택영, 김용진
한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
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수소이온주입 도즈량 및 어닐링 조건에 따른 dislocation 밀도 변화에 대한 고찰|Effect of Hydrogen Implantation Dose and Annealing Condition on Dislocation Density
나정수, 석동방, 김재한, 이곤섭, 박재근
한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
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고에너지 이온주입에 의한 전도성 polyaniline의 nanostructuring
서덕수, 주진수
한국고분자학회 2004년 봄 학술대회 |
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다양한 이온 주입에 의해 전처리한 사파이어(0001) 기판에 성장시킨 GaN 에피층의 열처리 효과|Aannealing effects of pre-treated sapphire(0001) substrate using various ion-implantation for GaN epilayers growth
이재석, 진정근, 강호재, 박현규, 노대호, 변동진, 고의관
한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
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Cu/Ti(TiN)/NiSi 전극구조 PN 접합의 전기적 특성에 관한 연구|A Study on Electrical Characteristics of PN Junction with Cu/Ti(TiN)/NiSi Electrodes
유정주, 이근우, 배규식
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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화학기상증착법으로 성장된 silane-based와 DCS-based WSix 박막의 특성평가|Characterization of silane-based and DCS-based WSix thin films deposited by chemical vapor deposition
안은정, 김경원, 정칠성, 김호정, 이순영
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 열처리 효과|Thermal Annealing Effects of Ion Implanted Sapphire(0001) Substrate for GaN
강호재, 진정근, 이재석, 박현규, 연대흠, 노대호, 변동진, 고의관, 이재상, 이재형
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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GaN 성장을 위한 다양한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과|Properties of various ion-implanted sapphire substrates for GaN epilayers
이재석, 진정근, 변동진, 이재상, 이재형, 고의관, 김충열, 이현휘, 문영부
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성|The characteristics of AlN buffered GaN on ion implanted Si(111)
강민구, 진정근, 이재석, 노대호, 양재웅, 변동진
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
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GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과|Effect of ion implanted sapphire substrates for GaN
이재석, 진정근, 강민구, 노대호, 성윤모, 변동진
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
