| 번호 | 제목 |
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이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성|The characteristics of AlN buffered GaN on ion implanted Si(111) 강민구, 진정근, 이재석, 노대호, 양재웅, 변동진 한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
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변분법을 이용한 실리콘 단결정 내부의 점결점 제어를 위한 표면 온도 분포 최적화|Optimization of surface temperature distribution for point defects control in the silicon single crystal by using the variational principle 우화성, 정자훈, 강인석|Hwa Sung Woo, Ja Hoon Jeong, In Seok Kang 한국화학공학회 2001년 봄 학술대회 |
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변분법을 응용한 초크랄스키 공정에서 단결정 표면 온도 분포의 최적화. Part I : 열 응력 문제|Application of variational calculus to optimization of single crystal surface temperature distribution in the Czochralski process. Part I : Thermal stress problem 정자훈, 강인석|J.H. Jeong, I.S. Kang 한국화학공학회 2000년 가을 학술대회 |
