| 번호 | 제목 |
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Growth Condition and Fabrication of Device for AlGaN/GaN Hetero-strucure by MOCVD Jaehong Choi, Hyunkyu Park, Jihye Kim, Jinwoo Jung, Dongjin Byun 한국재료학회 2006년 봄 학술대회 |
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AlGaN/GaN 이종접합구조의 Al 함량에 따른 I-V 특성.|I-V property of hetero-structure AlGaN/GaN as Al contents growth on the sapphire(0001) by MOCVD. 박현규, 진정근, 연대흠, 최재홍, 권영석, 이종한, 변동진 한국재료학회 2005년 가을 학술대회 |
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Synthesis and Characterization of Tungsten Oxide Nanowires 박병태, 용기중 한국화학공학회 2003년 가을 학술대회 |
