화학공학소재연구정보센터
번호 제목
6 GaN-based 발광소자에서 식각 속도에 기인한 PECVD 산화막 증착 조건에 관한 연구|Effect of Deposition Condition of PECVD SiO2 on Etch Rate for GaN-based LED
최창선,김태희,홍주형,박형조,한윤봉|C. S. Choi,T. H. Kim,J. H. Hong,H. J. Park,Y. B. Hahn
한국화학공학회 2001년 가을 학술대회
5 Cl2/Ar 유도결합 플라즈마를 이용한 ZnO박막의 식각 특성|Etch Characteristics of ZnO films in Cl2 based
박진수, 임연호, 최창선, 김태희, 한윤봉|J. S. Park, Y. H. Im, C. S. Choi, T. H. Kim and Y.B. Hahn
한국화학공학회 2001년 봄 학술대회
4 Cl2/Ar 유도 결합 플라즈마를 이용한 SiC박막 식각특성|Etching of SiC Thin Films in Cl2/Ar Inductively Coupled Plasmas
최창선, 임연호, 박진수, 김태희, 한윤봉|C. S. Choi, Y. H. Im, J. S. Park, T. H. Kim, Y. B. Hahn
한국화학공학회 2001년 봄 학술대회
3 FRAM 소자 응용을 위한 SrBi2Ta2O9 박막의 고밀도 플라즈마 식각|High Density Plasma Etching of SrBi2Ta2O9 Thin Films for FRAM pplication
박진수, 임연호, 최창선, 한윤봉|Jin Soo Park, Yeon Ho Im, Chang Sun Choi, Yoon-Bong Hahn
한국화학공학회 2000년 가을 학술대회
2 Cl2/CO를 이용한 백금박막의 화학적 건식식각 특성|Chemical Dry Etching of Platinum Films using Cl2/CO Gas Mixture
김진홍, 우성일|Jin Hong Kim, Seong Ihl Woo
한국화학공학회 1998년 봄 학술대회
1 비휘발성 반도체 메모리 응용을 위한 유도결합 플라즈마에서 Pt/PZT/Pt 박막 커패시터의 건식 식각|Dry Etching of Pt/PZT/Pt Thin Film Capacitors in an Inductively Coupled Plasma (ICP) for Nonvolatile Memory
정지원, 김창정|Chee Won Chung, Chang Jung Kim
한국화학공학회 1997년 봄 학술대회