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번호	제목
9	바코팅 공정에 따른광경화성 액정필름의 배향 변화 연구 박선희, 이재상, 송기국 한국고분자학회 2009년 봄 학술대회
8	선형 질소 이온 주입 농도에 따른 사파이어 기판 상 MOCVD를 이용한 GaN 수평 성장 이광택, 김범준, 진정근, 이재상, 변동진 한국재료학회 2009년 봄 학술대회
7	Effects of Surface Modifications of TiO₂ photocatalyst on the Photocatalytic Degradation Kinetics and Mechanisms 이재상, 최원용 한국공업화학회 2005년 가을 학술대회
6	이온주입법에 의한 WC-Co의 기계적성질 변화\|Mechanical Modification of WC-Co by ion implantation 노용오, 한경훈, 이찬영, 이재상, 김계령 한국재료학회 2005년 가을 학술대회
5	Surface Platinization of TiO₂ Photocatalyst: Effects on Kinetics and Mechanisms of Organic Pollutants Degradation 이재상, 최원용 한국공업화학회 2004년 가을 학술대회
4	GaN용 사파이어기판에 주입된 이온 변화에 대한 비교\|Comparison to change of implanted ions on sapphire substrates for GaN 진정근, 이재석, 노대호, 변동진, 이재상, 이재형, 고의관 한국재료학회 2004년 가을 학술대회
3	Platinization effect in the photocatalytic degradation of TCE and PCE: Importance of Pt species 이재상, 최원용 한국화학공학회 2004년 봄 학술대회
2	GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 열처리 효과\|Thermal Annealing Effects of Ion Implanted Sapphire(0001) Substrate for GaN 강호재, 진정근, 이재석, 박현규, 연대흠, 노대호, 변동진, 고의관, 이재상, 이재형 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
1	GaN 성장을 위한 다양한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과\|Properties of various ion-implanted sapphire substrates for GaN epilayers 이재석, 진정근, 변동진, 이재상, 이재형, 고의관, 김충열, 이현휘, 문영부 한국재료학회 2004년 봄 학술대회