화학공학소재연구정보센터
번호 제목
7 MOCVD pulsed-mode growth of III-nitride nanorod arrays for optoelectronic applications
배시영
한국재료학회 2021년 봄 학술대회
6 The effects of III-V flux to the growth of non-polar epitaxial AlN films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Duc Duy Le, Soon-Ku Hong, Dong-Yeob Kim
한국재료학회 2014년 가을 학술대회
5 카본 테잎에 직접 성장한 질화물반도체 나노선 특성 분석
서원오, 김지현
한국화학공학회 2013년 가을 학술대회
4 Recent progress of nonpolar and semipolar GaN on sapphire substrates for the next generation high power light emitting diodes
이성남
한국재료학회 2011년 봄 학술대회
3 Non-polar a-plane wurtzite nitride thin films grown on Si(100): An approach to eliminate the polarization effect
Song, Jeong-Hwan
한국재료학회 2006년 가을 학술대회
2 Growth of Group-III Nitrides for Displays
강상원, 박현종, 황장연, 김태웅, M. Reed, M. Mastro, 박진호, O. Kryliouk, T. J. Anderson
한국화학공학회 2005년 봄 학술대회
1 고밀도 플라즈마를 이용한 반도체 재료 식각기술|Etching Technology of Semiconductor Materials in High Density Plasmas
한윤봉|Yoon Bong Hahn
한국화학공학회 2000년 봄 학술대회