화학공학소재연구정보센터
번호 제목
106 Towards simultaneous achievement of outstanding durability and photoelectrochemical reaction in Cu2O photocathodes via electrochemically designed resistive switching
김동수, 최지훈, 이학현, 서희원, 이건웅, 조형균
한국재료학회 2021년 가을 학술대회
105 UV-Laser-Annealed Flexible Resistive Random-Access Memory (RRAM)
한승우, 신무환
한국재료학회 2021년 가을 학술대회
104 Development of a Basic Model for Cerium Oxide Based Interfacial Switching Memory Device Using Finite Element Method.
Sagar Khot, 정동명, 권용우
한국재료학회 2021년 가을 학술대회
103 Observation of resistive switching properties in Sb2Se3 through morphological manipulation.
양지웅, 정윤성, 이상한
한국재료학회 2021년 가을 학술대회
102 Electrochemically deposited Cu2O double layer: Application to a Switching Layer for ReRAM
서희원, 조형균, 김동수, 최지훈, 이학현
한국재료학회 2021년 가을 학술대회
101 Strategic allocation of two-dimensional van der Waals semiconductors as oxygen reservoir for boosting resistive switching reliability
Seung-Jong Yoo, Kanghyeok Jeon, Jin Joo Ryu, Doo Seok Jeong, Wooseok Song, Gun Hwan Kim
한국재료학회 2021년 가을 학술대회
100 유한 요소 시뮬레이션을 이용한 저항 메모리의 전체 스위칭 사이클 해석
정동명, Sagar Khot, 권용우
한국재료학회 2021년 봄 학술대회
99 Developing a Basic Model for Interfacial Switching Mechanism of Cerium Oxide Based Resistive Memory Using Finite Element Method
Sagar Khot, 정동명, 권용우
한국재료학회 2021년 봄 학술대회
98 Resistive random-access memory (ReRAM) devices based on quasi 2D halide perovskites for high ON/OFF ratio and long-term stability
김효정, 장호원
한국재료학회 2021년 봄 학술대회
97 All Inorganic Copper-Based Halide Perovskites as ReRAM Artificial Synapses for Neuro-Computing
곽경주, 장호원
한국재료학회 2021년 봄 학술대회