화학공학소재연구정보센터
번호 제목
8 Investigation of Particle Contamination and Removal Mechanism with Corrosion Inhibitors for Cu CMP Application
Hae-Jung Pyun, Byoung-Jun Cho, Jin-Yong Kim, Jin-Goo Park
한국재료학회 2017년 봄 학술대회
7 Development of Non-Amine-based Cleaning Solution for Post-Cu CMP(Chemical Mechanical Planarization) Application
Byoung-Jun cho, Xiong Hailin, Jin-Goo Park
한국재료학회 2013년 가을 학술대회
6 Cu CMP에서 나노 콜로이달 입자의 크기가 연마제거율과 Cu/TaN 선택비에 미치는 영향|Effect of Nano-Colloidal Abrasive size on Removal Rate and Selectivity of Cu/TaN Film in Cu CMP
박진형, 김민석, 백운규, 박재근
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
5 Cu-CMP에서 슬러리 첨가제에 따른 Cu와 TaN의 선택비 거동|Effect of Additive on Cu/TaN Selectivity in Cu-CMP
홍석훈, 송 철, 김재욱, 김민석, 박재근
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
4 구리의 화학,기계적 연마용 실리카 슬러리의 안정화에 관한 유변학적 연구|Rheological Study on the Stabilization of the Silica Slurry for Copper CMP
최영훈,배선혁,양승만,김도현|Young Hoon Choi,Sun Hyuk Bae,Seung-Man Yang,Do Hyun Kim
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회
3 구리의 화학적 기계적 연마를 위한 알루미나 슬러리의 안정화|Stabilization of Alumina Slurry for Chemical-Mechanical Polishing of Copper
오원경,양승만|Won-Kyoung Oh,Seung-Man Yang
한국화학공학회 2001년 가을 학술대회
2 구리의 화학·기계적 연마공정에서 연마속도와 표면 평탄도에 미치는 화학반응의 영향|EEffects of the Chemical Reaction on the Polish Rate and Surface Roughness in the Copper CMP
배선혁, 김도현|Sun Hyuk Bae, Do Hyun Kim
한국화학공학회 2001년 봄 학술대회
1 염기성 수용액에서 전기화학적 수정진동자를 이용한 구리의 전해 용출에 대한 특성조사|Electrochemical study of the anodic dissolution of copper combined with EQCM in alkaline solution
최성훈, 탁용석|Sung Hoon Choi, Yong Sug Tak
한국화학공학회 2001년 봄 학술대회