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Effect of different stacked structures on the characterization of ZnO/p-GaN/Al2O3 based heterojunction Ultra-violet light-emitting diode (UV-LED)
Saerok Kim, Mi Na Kang, Hyun Kee Lee, Seung Wook Shin, Jong-Ha Moon, Jeong Yong Lee, Jin Hyeok Kim
한국재료학회 2011년 봄 학술대회 |
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Full wafer scale imprinting process for the fabrication of two-dimensional photonic crystals on GaN-based light-emitting diodes
변경재, 홍은주, 이 헌
한국재료학회 2008년 가을 학술대회 |
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A research of properties of p-GaN layers after rapid thermal annealing (RTA) treatment
Jihye Kim, Jaehong Choi, Donggun Lee, Junggeun Jhin, Dongjin Byun
한국재료학회 2006년 가을 학술대회 |
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Recovery of Electrical Properties by Surface Treatment after Mesa Etching in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes
강형곤, 최락준, 한명수, 윤창주, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 가을 학술대회 |
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Improvement in LED structure for enhanced light-emission|Improvement in LED structure for enhanced light-emission
Seong-Ju Park
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
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p-GaN층에 따른 InGaN/GaN 다중 양자우물 발광 다이오드의 전기.광학적 특성|Effects of p-GaN Layer on Electrical and Optical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes
최락준,한윤봉|Rak-Jun Choi,Yoon-Bong Hahn
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회 |
