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The effects of III-V flux to the growth of non-polar epitaxial AlN films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy Duc Duy Le, Soon-Ku Hong, Dong-Yeob Kim 한국재료학회 2014년 가을 학술대회 |
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Carbonization mask를 이용한 r-plane sapphire 기판 상의 a-plane GaN의 ELOG성장 방법 연구 장삼석, 권준혁, 변동진 한국재료학회 2011년 가을 학술대회 |
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Growth and characteristics of epitaxial lateral overgrown a-plane GaN on r-plane sapphire using high-dose N+-ion-implantation 권준혁, 장삼석, 홍정엽, 문성욱, 변동진 한국재료학회 2011년 가을 학술대회 |
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Study on properties of MgxZn1-xO films grown on r-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy 한석규, 이효성, 홍순구, 안병준, 송정훈, 정명호, 이주호, 이정용, Takafumi Yao 한국재료학회 2010년 가을 학술대회 |
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Growth and characterization of Ga-doped a-plane ZnO films on r-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy 한석규, 이효성, 홍순구, 윤나라, 오동철, 안병준, 송정훈, Takafumi Yao 한국재료학회 2010년 가을 학술대회 |
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Morphological evolution of ZnO nanowires using various substrates J. P. Kar, S.N. DAS, J. H. Choi, J.M. Myoung 한국재료학회 2009년 가을 학술대회 |
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a-, c-, r-plane Al2O3 기판에 MOCVD법으로 합성한 ZnO 나노구조의 결정학적 특성(Crystalline characteristics of ZnO nano-structures grown on a-, c- and r-plane Al2O3 by MOCVD) 서지민, 정민창, 명재민 한국재료학회 2007년 봄 학술대회 |