| 초록 |
반도체 소자의 미세화가 진행됨에 따라 웨이퍼 표면의 오염을 제거하기 위한 세정 공정은 반도체 소자의 성능 저하와 수율을 좌우하는 중요한 요소가 되고 있다. 세정 공정 방법 중 습식 세정법은 금속성 불순물의 세정 효율이 높아 반도체 제조 공정에서 널리 사용되고 있다. 습식 세정은 제거될 오염물에 따라 적당하고 많은 종류의 화학 용액을 사용할 수 있다. 또한 매우 뛰어난 신뢰성과 재현성이 우수하다. 이러한 장점으로 인해 널리 사용되고 있으나 많은 화학물질의 소모로 인한 환경오염과 화학물질 사용 후 폐수의 처리에 대한 단점이 있다. 본 연구는 고온 고압 조건에서 카르복실기를 포함하는 유기산을 이용하여 금속성 불순물로 작용하는 구리 산화물의 제거 특성을 알아보았다. 수열 반응기를 이용하여 용액의 농도, 가열 시간과 온도에 따라 구리 산화물의 용해 특성을 분석하였다. 사용된 유기산의 구리 성분과의 킬레이트화 정도에 따른 제거 특성에 응용하여 표면 세정 효과를 얻고자 하였다. 사용된 유기산들은 폐수 처리가 어렵고 사용하기가 위험한 강산이나 강염기보다 안전하고 친환경적인 측면에서 세정 공정 적용이 유리하다. |
