| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2015년 가을 (11/25 ~ 11/27, 부산 해운대그랜드호텔) |
| 권호 |
21권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료 |
| 제목 |
계층형 구조를 가지는 GeTe 나노와이어의 성장 |
| 초록 |
본 발표에서는 one-step vapor transport process를 통해 에피텍셜 관계를 가지며, 계층적 성장 특성을 가지는 GeTe 나노와이어를 다룬다. 미세결정에서 에피택셜하게 성장한 GeTe 나노와이어는 표면에너지 최소화에 기반한 원자 단위 모델 및 Focused Ion Beam 및 전자현미경을 이용하여 조사하였다. 본 분석 결과를 통하여 나노와이어 성장의 기반이 되는 미세결정은 면심입방구조로 이해가 가능하며, 이 구조의 최대충진면인 (111) 면으로 이해가 될 수 있음을 조사하였으며, (111) 면에 제한되는 효과에 기인하여 나노와이어 성장 밑부분의 표면 에너지 최소를 위해 사면체가 형성됨을 발견하였다. 그 뒤에 계속적인 성장을 표면 에너지 최소화에 기초하여 조사하였다. 표면의 에너지를 최소화 시키는 최대 원자의 2차원에서의 밀도는 3차원의 팔면체 미세결정들에서 사면체 기초에서 마침내 1차원의 나노와이어까지 성장을 지배하는 결정하는 요소임을 알게 되었고, 이 연구로부터 획득된 결정체의 나노재료들 구조의 결정학적인 이해는 3차원에서의 나노구조들의 성장방향을 이해하고, 예견하고, 조절하는데 중요한 요소가 될 것이라 판단된다. |
| 저자 |
정희석1, 오규환2, 송희1, 박지혜1, 송정현1, 임창대1, 김정한1
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| 소속 |
1한국기초과학지원(연), 2서울대 |
| 키워드 |
GeTe nanowires; nanostructures; epitaxial growth
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