| 초록 |
다량이면서 고순도의 질화 갈륨 나노와이어가 수직반응기를 이용 금속 갈륨과 암모니아 가스의 반응에 의해 니켈 촉매 위에서 합성하였다. 그 결과 니켈 촉매와 갈륨의 거리가 약 2 cm 떨어져 위치하고 있을 때 다량의 질화 갈륨 나노와이어가 성장됨을 알 수 있었다. 우리는 액상촉매를 지지하기 위하여 Si(100) 기판을 사용하였고, 이 Si 기판은 60 분 동안 24 % 불소용액 속에서 양극처리를 하였다. 그리고 나서 다공성의 규소막을 제거하였다. 이 결과 합성된 나노와이어는 단결정이면서 육방정 구조를 가지고 있었다. 또한 나노와이어의 직경은 약 25 nm 이었다. 게다가 우리는 질화 갈륨 나노와이어의 합성이 기-액-고체 메커니즘을 잘 따르고 있음을 알 수 있었다. 더 자세한 구조와 광학 특성들은 X선 회절분석(XRD), 고분해능 투과전자현미경(HRTEM), 325 nm의 파장을 갖는 He-Cd laser를 이용한 발광루미네센스(PL) 분석 및 다른 여러 가지 분석 방법에 의해 관찰되었다. |
