| 초록 |
현재 p형인 반도체 물질은 n형에 비해 연구가 미진한 상황이다. 특히 SnO는 밴드갭이 2.7~3.4eV이며 전기전도도가 ZnO, NiO 보다 좋다. 그러나 SnO는 n형인 SnO₂, MoS₂, IZGO 와 같은 물질들만큼 충분히 연구가 이루어지지 못해왔다. 이에 본 연구에서는 p형 SnO를 Sputtering 방법으로 증착하고 산화공정(Oxidation Process)을 통한 전기적 특성을 개선하였다. 산화공정을 위해 진공 환경에서 산소 농도를 달리하여 SnO의 산화 정도와 전기적 특성에 기여하는 최적의 조건을 확인했다. TFT 제작 후 X-선 회전분석기(XRD), 라만분광기(Raman Spectroscopy)를 통하여 Si위에 성장된 박막의 결정 구조에 대해 관찰하였고, XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy), UPS(ultraviolet photoelectron spectroscopy) 분석을 통하여 물질의 결합상태와 상대적인 구성비, 그리고 밴드구조를 확인하였다. 또한 SEM(Scanning Electron Microscope)과 AFM(Atomic Force Microscopy)으로 박막의 표면구조를 분석하였다. 그 결과 산화공정을 통한 p-type SnO TFT(Thin Film Transistor)의 전기적 특성을 개선하였다. |
