| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2018년 봄 (05/02 ~ 05/04, 대구 엑스코(EXCO)) |
| 권호 | 22권 1호 |
| 발표분야 | (특별세션) 반도체 공정소재 |
| 제목 | Chemical materials in Atomic Layer Deposition |
| 초록 | 원자층증착법은 전구체와 반응체(산화제, 질화제, 환원제 등)의 순차적인 공급과 기판과의 표면반응에 기반한 박막 증착방법이다. 최근에 원자층증착법은, 반도체 산업에서는 대표적인 박막 증착방법으로 자리잡고 있으며, 디스플레이, 태양전지, 배터리, 바이오, 나노 등의 분야에도 그 특수성에 맞게 연구개발과 산업화가 진행되고 있다. 본 발표에서는 원자층증착법을 이용하여 커패시터 등의 aspect ratio가 큰 3차원 구조에서의 유전막과 금속막의 균일 증착 및 멀티플 패터닝 등에서의 스페이서 형성 등에 대한 기술발전 동향을 소개한다. 또한, 반도체 기술의 발전에 따른 새로운 전구체의 도입 필요성 및 이에 따른 전구체의 필요조건 등을 제시한다. 개발된 Si 및 Zr 전구체에 의한 원자층증착법의 공정 특성, 증착된 박막의 물질적 특징, 반도체 소자에의 응용 특성 등을 논의한다. |
| 저자 | 박인성 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | ALD; precursor; thin film |
