| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2015년 가을 (11/25 ~ 11/27, 부산 해운대그랜드호텔) |
| 권호 | 21권 2호 |
| 발표분야 | G. 나노/박막 재료 |
| 제목 | 이차원 MoS2 의 원자층 증착법을 이용한 성장 및 표면 보호층 공정에 따른 소자 특성 분석 |
| 초록 | 이차원 물질인 이황화 몰리브덴 (MoS2)은 원자 단위의 얇은 두께, 유연성, 독특한 전기적/광학적 특성을 가지고 있다. 이런 특성으로 인하여 최근 전자소자, 광소자 등에 적용하기 위한 광범위한 연구가 진행되고 있다. 이러한 이차원 MoS2 응용 소자의 안정적이고 신뢰성 있는 동작을 보장하기 위해서는 넓은 영역에 걸쳐 균일하게 이차원 물질을 합성할 수 있는 합성 공정과 소자를 안정적으로 동작하기 위한 소자 공정의 개발이 필요하다. 본 연구에서는 원자층 증착법(Atomic LayerDeposition)을 이용하여 90% 이상 균일한 층수를 가지는 웨이퍼 스케일(~10cm)의 MoS2를 합성 하고, 트랜지스터 제작을 통하여 전기적 특성을 확인 하였다. 또한, MoS2 표면의 산화를 방지하고 소자의 특성의 안정성 확보를 위해 MoS2 표면의 passivation 증착 연구를 진행하였다. 이를 통해, MoS2 표면 passivation 공정 조건이 MoS2 소자 특성에 영향을 준다는 것을 확인하였다. |
| 저자 | 김형준, 박주상, 김영준, 송정규, 김석진 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | <P>MoS<SUB>2</SUB>; Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>; Passivaion; FET; Atomic layer deposition(ALD)</P> |
