| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2015년 가을 (10/21 ~ 10/23, 일산 KINTEX) |
| 권호 | 21권 2호, p.2116 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | GaAs wafer의 표면 처리 및 재산화에 따른 표면 특성 변화 연구 |
| 초록 | Silicon은 우수한 전기적 특성, 안정성, 저렴한 가격 때문에 반도체 소재로 널리 사용되었다. 그러나 반도체의 미세화에 따른 short channel effect, tunneling 전류 증가 등의 문제가 발생하고 있다. 이러한 문제들의 대안 중 하나로 III-V족 화합물을 채널 물질로 이용하는 방법이 연구되고 있다. III-V족 물질은 높은 이동도로 인한 반도체 속도의 향상 및 저전력 소모에 의한 디바이스 특성 개선이 기대되어 관련 기술에 대한 많은 연구개발이 이루어지고 있다. 본 연구는, III-V족 물질 중 GaAs에 wet chemical 처리와 산화를 실시한 후 표면이 어떤 변화를 보이는지를 관찰하고, 그 메커니즘을 파악하여 III-V족 화합물 반도체 세정 공정 개발에 필요한 기반 지식과 데이터를 확보하는 것을 목적으로 하였다. 본 연구에서는 GaAs (100), (110), (111)A, (111)B 웨이퍼를 준비하고, 이를 DHF (HF+H2O) 및 FPM (HF+H2O2+H2O)으로 표면처리 후 대기 중에서 재산화를 실시하면서 공정이 진행되는 동안 표면이 어떻게 변하는가를 측정하였다. 표면처리 직후 표면을 구성하는 성분들은XPS를 통하여 확인하였고, 재산화 과정은 MIR-FTIR 및 ellipsometer 측정으로 변화를 관찰하였다. FPM 처리시 H2O2의 영향을 확인하기 위하여 여러 조성에서 etch rate를 측정하였다. H2O2가 첨가된 FPM 처리된 경우 표면의 oxide 비중이 높게 측정되었으며, 이로 인하여 친수성의 표면 상태를 보이며 재산화 속도도 빠른 것으로 확인되었다. |
| 저자 | 임상우, 나지훈, 서동완, 이진훈 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | III-V semiconductor; GaAs; cleaning process; wet treatment; oxidation |
| 원문파일 | 초록 보기 |
