| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2011년 가을 (10/26 ~ 10/28, 송도컨벤시아) |
| 권호 | 17권 2호, p.1876 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | nMOS capping layer La2O3의 습식 에칭 kinetics 및 mechanism 연구 |
| 초록 | 트랜지스터의 집적화 및 소형화에 따라 새로운 high-k / metal gate가 도입되는데, high-k 재료의 공정 중 손상 방지 및 전기적 성질의 개선을 위하여 high-k와 metal gate 사이에 capping layer가 필수적이다. pMOS와 nMOS의 capping layer로서 각각 Al2O3 및 La2O3가 검토되고 있다. 또한, gate stack 제작공정 중, 하부 및 다른 노출 층의 손상 없이 capping layer를 증착하기 위하여 capping layer의 고선택 습식 에칭 기술이 요구된다. 지난 연구에서 La2O3의 고선택 습식 etchant로서 HCl과 H2SO4가 연구되었고, 이 etchant들을 이용하여 다른 층들의 손상 없이 La2O3가 제거됨을 최종적으로 확인하였다. 본 연구에서는 HCl과 H2SO4의 La2O3 에칭 반응을 학문적으로 접근하여 에칭 반응의 kinetics 및mechanism을 연구하였다. Etchant들의 H+농도에 따른 에칭 속도변화를 통해 에칭 속도식을 정의하였으며, HCl과 H2SO4의 에칭 속도식을 비교하였다. 또한, 에칭 반응식을 제안하고, 생성물이 전체 에칭 반응에 미치는 영향을 연구하여 최종적인 에칭 메커니즘을 제안하였다. |
| 저자 | 오지숙, 배진성, 서동완, 임상우 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | Capping layer; Wet etch; Reaction kinetics; Mechanism |
| 원문파일 | 초록 보기 |
