| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2017년 봄 (04/26 ~ 04/28, ICC 제주) |
| 권호 | 23권 1호, p.911 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | ZnO 나조구조를 이용한 GaN 기반 이산화탄소 센서 |
| 초록 | 이산화탄소는 각종 화학반응의 반응물, 중간 생성물 및 최종 생성물로서 화학, 생물, 의학, 에너지 및 식품 산업에서 널리 사용된다. 그러나 이산화탄소는 무색, 무취의 가스로 공기보다 밀도가 높아 인간의 생활 및 작업환경에 큰 영향을 미치므로 신속하게 이산화탄소 농도를 탐지해내는 것은 매우 중요하다. 최근 사물인터넷 시장이 발달과 함께 고농도의 이산화탄소 노출 위험을 조기에 탐지해내고 일상 생활에서 공기의 질을 관찰하기 위해 이산화탄소 센서에 대한 관심 및 수요가 증가하고 있다. 특히 GaN 기반 가스 센서는 일반적인 반도체 가스 센서 대비 우수한 신뢰성과 감도를 보인다. ZnO 나노구조를 이산화탄소 탐지물질로 이용한 AlGaN/GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) 기반의 가스 센서를 제작하였다. 제작된 센서는 300℃에서 가장 좋은 감도를 나타내었으며, 다양한 농도의 이산화탄소에 대해 빠르고 정확한 반응성을 보였다. |
| 저자 | 정선우1, 백광현2, 장수환1 |
| 소속 | 1단국대, 2홍익대 |
| 키워드 | 화공소재 전반 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
