| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2013년 가을 (11/06 ~ 11/08, 제주롯데호텔) |
| 권호 | 19권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | APT로부터 WO₃ 생성반응의 최적 조건 도출 연구 |
| 초록 | WO₃는 transition metal-oxide의 한 종류로써 n-semiconductor이며 완벽한 성능을 수행하는 multi-functional material로 잘 알려져 있다. Hexagonal WO₃은 리튬원자가 삽입되는 기능을 수행할 수 있다는 가능성 때문에 큰 장점이 있다. WO₃를 생성하기 위한 방법으로는 Na₂WO₄을 무기산(HCl)에 첨가하여 열수처리 하는 방법과 Ammonium Paratungsten(APT)를 calcination하는 방법이 있다. 본 연구에서는 텅스텐 제련공정에 대한 검토의 일부로서 후자의 실험방법을 택하였고, 다양한 실험조건이 WO3 제조에 어떤 결과를 미치는지 조사하여 최적의 조건을 도출하였다. WO₃를 생성하는 데 영향을 미친다고 추측되는 4가지 요소, 열수처리 시간, 열수처리의 온도, 건조 온도, calcination온도를 선정한 뒤, Taguchi 설계 중 orthogonal 배열법을 사용하여 실험을 설계하였다. 열수처리는 100ml 의 증류수에 APT 3g을 첨가하여 진행하였고, 반응이 일어난 후 거름종이로 거른 후에 오븐에 정해진 온도로 2~3시간 충분히 건조 한 뒤, 전기로를 사용하여 2시간 calcination하였다. 생성된 WO₃의 입자크기(particle size)와 비표면적(specific surface area)를 측정한 뒤 미니탭 프로그램을 사용하여 최적의 조건을 도출한다. 또한, XRD와 EDS를 사용하여, 생성된 WO3 분말의 phase과 불순물의 존재를 확인한다. |
| 저자 | 백구슬, 정우광 |
| 소속 | 국민대 |
| 키워드 | APT; WO3; calcination; hydrothermal |
