| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2021년 가을 (11/03 ~ 11/05, 대구 엑스코(EXCO)) |
| 권호 | 25권 2호 |
| 발표분야 | 포스터-디스플레이 |
| 제목 | TADF Materials with Improved Reverse Intersystem Crossing Rate through Internal Heavy Atom Effect |
| 초록 | 열 활성화 지연 형광(TADF)은 유기 발광 다이오드(OLED)에서 삼중항 여기자를 단일항 여기자로 변환하는 경로를 제공하여 일반적인 형광의 최대 25%의 광자 효율에서 이론상 100%의 광자 효율의 달성할 수 있는 기술로 OLED의 효율을 개선시킬 수 있어 현재 많은 연구가 진행되고 있다. TADF의 효율을 높이기 위해서는 역 계간전이(RISC) 속도를 높이는 것이 중요하며, 대부분의 연구에서는 S1과 T1의 에너지 차이를 줄이는데 집중하고있다. 본 연구에서는 내부 중원자 효과(IHA)를 통해 역 계간전이 속도를 높이는 것을 목적으로 TADF 도판트인 4CZIPN에 할로겐 원소를 도입하여 최대 7 × 107 s−1 의 높은 RISC 속도를 달성하였고, 이를 OLED 소자에 사용하여 성능을 확인하였다. *This work was supported by Korea Institute for Advancement of Technology (KIAT) grant funded by the Korea Government (MOTIE)(P0008500, The Competency Development Program for Industry Specialist). |
| 저자 | 김성현1, 김형석2, 이자연3, 신성준1, 정원교1, 서민철3, 유승협2, 이지훈1 |
| 소속 | 1한국교통대, 2KAIST, 3경희대 |
| 키워드 | OLED; TADF; reverse intersystem crossing |
