| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 1998년 가을 (10/23 ~ 10/24, 조선대학교) |
| 권호 | 4권 2호, p.3777 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | MOCVD에 의한 RuO2 박막 성장에 관한 연구 |
| 초록 | Bis(cyclopentadienyl)ruthenium[ Ru(C5H5)2 ]과 고순도 O2(99.99%)를 사용하여 수직 형 LPCVD 반응기에서 RuO2 박막을 제조하고 rf sputtering system을 사용하여 백금(Pt)박막을 제조하였다. SiO2/Si 기판위에 제조된 RuO2 박막은 표면이 매우 균일하였고 박막의증착온도에 따라 구조가 치밀해지고 grain size가 증가하였다. 400 ℃ 이하의 온도에서 증착된 박막의 구조는 비정질 구조였으나 그 이상의 온도에서 증착한 경우나 열처리를 한 경우에는 모두 결정화된 rutile 구조를 갖고 있었다. 박막의 grain size는 열처리 온도에 의한영향보다는 증착온도에 따라 더 많이 변한다는 겻을 알 수 있었다. 박막의 면저항은 증착온도가 높아지거나 N2 캐리어가스의 유량이 증가할수록 감소하였으나 비저항은 박막의 성장속도에 영향을 받아 N2 캐리어가스의 유량이 일정한 경우에는 450 ℃에서 가장 큰 값은 나타내었고 증착온도가 일정할 경우에는 N2 캐리어가스의 유량이 50 sccm일 경우가 가장 높은 비저항값을 나타내었다. 제조된 박막은 모두 600 ℃이상의 높은 온도하에 O2 분위기에서 열처리를 하는 경우 비저항이 감소하였고 800 ℃에서 열처리를 한 경우 최고 140 μΩcm 의 비저항값을 나타내었다. Ruthenium dioxide(RuO2)를 MOCVD를 이용하여 얇은 박막을 제조하였다. |
| 저자 | 안재영, 조성민 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | MOCVD; Ruthenium dioxide; FRAM |
| 원문파일 | 초록 보기 |
