| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 | 11권 2호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | ZnO 템플레이트를 이용한 수직형 ZnO 나노막대 제작 |
| 초록 | ZnO는 넓은 밴드갭(3.37eV)과 큰 액시톤 결합에너지(60meV)를 가지고 있으며 청색 및 자외선 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), UV 감지기 소자 등의 응용이 기대되는 육방정 조밀구조(a=0.325nm , c=0.521nm)를 가진 II-VI 산화물 반도체이다. 특히 ZnO는 광전소자로의 응용이 매우 기대되는 물질이다. 이를 상용화하기 위해서는 우선 수직방향으로 성장을 시켜야 하며, 형태와 크기의 조절이 가능해야 한다. 본 연구는 열기상증착 방법으로 금속 촉매 대신 ZnO 템플레이트를 이용하여 수직방향으로 잘 성장된 ZnO 나노막대의 특성에 대해 고찰하였다. ZnO 템플레이트는 금속 촉매와는 달리 같은 물질을 사용함으로써 촉매로 인한 불순물 문제가 없으며, 소자로서의 응용성이 크다. ZnO 템플레이트로 이용한 ZnO 박막은 마그네트론 스퍼터링 방법으로 두께를 300nm 성장시켰다. ZnO 템플레이트를 이용해 성장시킨 ZnO 나노막대의 특성을 비교하기 위해 촉매를 사용하지 않은 Si(111) 기판 위에 같은 방식으로 ZnO 나노막대를 성장시켰다. 두 시편의 특성분석은 성장된 형태, 광학적 특징, 결정학적 특징을 비교하였다. ZnO 템플레이트를 이용해 ZnO 나노막대의 수직성장을 성공하였으며, 수직으로 성장한 1차원 ZnO 나노막대의 형상변화를 관찰하였고, 광학적 특성 및 결정학적 특성을 분석하였다. 본 연구보고서는 정보통신부 정보통신연구진흥원에서 지원하고 있는 정보통신기초연구지원사업의 연구결과입니다. |
| 저자 | 공보현1, 김영이1, 박태은1, 조형균2 |
| 소속 | 1동아대, 2성균관대 |
| 키워드 | ZnO 나노막대; ZnO 템플레이트; 열기상증착법 |
