| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2020년 가을 (10/28 ~ 10/30, 광주 김대중컨벤션센터(Kimdaejung Convention Center)) |
| 권호 | 24권 1호 |
| 발표분야 | 포스터-에너지저장·변환 |
| 제목 | 양자점을 사용한 역구조 포토디텍터의 제작 및 특성에 관한 연구 |
| 초록 | 포토디텍터는 광 신호를 전기적 신호로 변환하는 단위전자소자로 카메라, 블랙박스, 적외선 및 가시광선 센서 등 광학/전자산업 전반에 걸쳐 광범위하게 쓰이는 전자소자 중 하나이다. 포토디텍터의 주요한 성능 평가 요소 중 하나인 detectivity는 광 신호 감지에 대한 성능지표로 detectivity가 높을 수록 소량의 광자로 큰 전기적 신호를 생성할 수 있으며 이를 제어하기 위해서는 소자의 광전류 밀도 및 암전류 밀도를 제어해야 한다. 본 연구에서는 신규 버퍼층으로 InP@ZnS 양자점을 사용하여 ITO / SnOx / InP@ZnS / P3HT:PC60BM / MoOx / Ag로 구성된 포토디텍터를 제작하였으며 신규 버퍼층으로 사용한 InP@ZnS 양자점이 포토디텍터의 detectivity를 증가시킴을 전기적/광학적 분석을 통해 확인하였다. InP@ZnS 신규 양자점 버퍼층은 광활성층으로 사용한 P3HT의 흡광도를 증가시키고 Förster resonance energy transfer(FRET) 효과로 인해 추가적인 엑시톤을 생성시키는 것으로 분석되었으며 이는 양자점 버퍼층이 소자의 광전류 밀도를 증가시키는 것으로 조사되었다. |
| 저자 | 김우성, 이지영, 이세리, 오세용 |
| 소속 | 서강대 |
| 키워드 | 역구조 포토디텍터; 양자점; FRET 효과 |
