| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (04/22 ~ 04/23, 여수대학교) |
| 권호 | 11권 1호, p.807 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Preparation of Cu thin films By Remote Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition using Copper(Ⅱ) dimethylamino-2-propoxide |
| 초록 | IC소자의 배선물질로서 쓰이는 Cu를 원거리 수소 플라즈마를 사용하여 원자층 증착을 시행하였다. 전구체는 beta-diketonate를 근간으로 하지 않은 Copper(Ⅱ) dimethylamino-2-propoxide를 사용하였다. 평가된 공정 변수는 전구체 및 대응 반응물의 주입시간, 플라즈마 노출 시간, 플라즈마 파워이다. 75℃~150℃에서 구리를 성장시켰으며, 100℃를 기본공정 조건으로 정하였다. 성막된 박막은 비저항, 조성, 거칠기, 결정성 등의 특성을 평가하였다. |
| 저자 | 윤동준, 김도형 |
| 소속 | 전남대 |
| 키워드 | ALD; remote plasma ALD; Cu |
| 원문파일 | 초록 보기 |
