| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2020년 가을 (10/28 ~ 10/30, 광주 김대중컨벤션센터(Kimdaejung Convention Center)) |
| 권호 | 24권 1호 |
| 발표분야 | 포스터-에너지저장·변환 |
| 제목 | 후처리 조건의 변화에 따른 Cu(In,Ga)(S,Se)2 광흡수층의 성능 변화 |
| 초록 | Cu(In,Ga)(S,Se)2(CIGSSe) 화합물 태양전지는 높은 광흡수계수를 가지며 박막 태양전지 중 가장 높은 효율을 보인다. CIGSSe 태양전지의 광흡수층은 스퍼터링/셀렌화, 황화 2단계 공정으로 제조되고 있으며, 제조 과정에서 표면에 잔류하는 Cu 이차상의 제거를 위해 KCN 에칭이 적용되기도 한다. 버퍼층으로 CBD공정으로 이용한 CdS를 연구용으로 채택한다. CdS 버퍼층 형성 후 air annealing을 적용하여 변환효율을 높인다. 기존의 CdS 버퍼층 증착은 Cu2Se, Metal 제거를 위한 KCN etching(전처리), CdS 증착, 산소oven annealing(후처리)으로 진행하였다. 본 연구에서는 CdS 버퍼층 형성 전후 적용되는 전처리/후처리 조건이 미치는 변환효율에 대한 영향을 성능분석을 통해 비교할 예정이다. |
| 저자 | 김아현, 조성욱, 이경아, 전찬욱 |
| 소속 | 영남대 |
| 키워드 | Cu(In; Ga)(S; Se)2 (CIGSSe); Solar Cell; etching; air annealing |
