| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2013년 봄 (05/23 ~ 05/24, 여수 엠블호텔(THE MVL)) |
| 권호 | 19권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | 반도체 배선용 구리 박막의 수소-아르곤 혼합 플라즈마 전처리에 관한 연구 |
| 초록 | 반도체 공정이 복잡다단화 되고 패턴의 종횡비가 증가함에 따라 배선 역시 높은 단차 피복도를 요구하고 있으나, 이를 만족하기 위한 기존의 기술은 제한적이다. 또한 반도체 배선에 사용되는 구리의 특성상 리소그래피 공정이 어려워, 최근에는 CVD를 통한 seed 박막을 성장한 후 electroplating으로 배선 공정을 마무리하고 있으며, 이 때 전체 구리 막의 특성은 성장된 seed 박막의 품질의 영향을 받게 된다. 본 연구에서는 고품질 구리 seed 박막을 성장시키기 위해 수소-아르곤 플라즈마 전처리를 사용하여, 이에 따른 기판의 상태 변화 및 변화된 기판의 특성이 구리 박막의 성장에 어떠한 영향을 주는가에 대해 연구하였다. |
| 저자 | 조성찬, 이도한, 김대식, 박기선, 변동진 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | 반도체 배선; 구리; 플라즈마 전처리 |
