| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2009년 가을 (11/05 ~ 11/06, 포항공과대학교) |
| 권호 | 15권 2호 |
| 발표분야 | B. Nanomaterilas Technology(나노소재 기술) |
| 제목 | Plasma를 통한 기판 전처리가 구리 박막 성장에 미치는 영향 |
| 초록 | 반도체 공정에서의 금속 배선 공정은 매우 중요한 공정 중 하나이다. 기존에 사용되던 알루미늄이 한계에 다다르면서, 대체 재료로 사용되고 있는 구리는 낮은 비저항, 높은 열전도도, 우수한 electromigration(EM)저항특성 등을 바탕으로 차세대 nano-scale집적회로의 interconnect application에 적합한 금속재료로서 각광받고 있다. Electroplating을 위한 구리 seed layer CVD 공정은 타 공정에 비해 step coverage가 우수한 막을 증착할 수 있어 고집적 소자의 구현이 가능하다. 본 연구에 이용된 2가 전구체 Cu(dmamb)2는 높은 증기압과 높은 활성화 에너지를 가짐으로서 열적안정성 및 보관안정성이 우수하며, 플루오르를 함유하지 않아 친환경적이다. 구리 증착 전 기판에 plasma 처리를 하면 표면 morphology가 변함에 따라 표면 에너지가 변화하고, 이는 구리의 2차원 성장에 유리하게 작용할 것으로 여겨진다. Plasma의 조건 변화에 따른 기판의 morphology 변화 및 성막된 구리의 특성 변화를 분석하였다. |
| 저자 | 진성언1, 최종문1, 이도한1, 이승무1, 변동진1, 정택모2, 김창균2 |
| 소속 | 1고려대, 2한국화학(연) |
| 키워드 | 구리; 박막 공정; CVD; plasma; 전처리 |
