| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2017년 봄 (04/26 ~ 04/28, ICC 제주) |
| 권호 | 23권 1호, p.1000 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Substrate 표면처리에 따른 MoS2 thin film growth 변화 |
| 초록 | MoS2는 우수한 전기적, 광학적 성질로 인하여 주목 받고 있다. 최근 (NH4)2MoS4 solution의 spin coating 후 열처리를 통한 wafer scale의 균일한 MoS2 thin film 형성 방법이 소개되고 있다. 본 연구진은 substrate의 종류 또는 표면상태와 합성된 MoS2 thin film의 성질 간의 관계에 대해 보다 자세히 연구하기 위하여 다양한 substrate 조건 및 (NH4)2MoS4 precursor solution 조건을 이용해서 합성된 MoS2 thin film의 quality 및 성질을 분석하였다. 우선 여러 방향성을 지닌 Si와 Ge 웨이퍼를 준비하였다. 다양한 방법으로 전처리를 진행하고 여기에 유기용매에 (NH4)2MoS4를 녹인 precursor solution을 이용하여 스핀 코팅을 진행하였다. 이후 furnace를 이용하여 2단계로 annealing을 수행하였다. 스핀 코팅 단계에서 precursor solution의 wettability는 substrate 전처리 단계의 추가 및 유기용매에 amine-functionalized solvent를 더하는 것으로 향상되었다. 형성된 MoS2 thin film의 두께는 precursor solution의 농도에 따라 조절 가능하였으며, MoS2의 crystalline quality와 stoichiometry는 고온에서의 2차 annealing으로 향상 시킬 수 있었다. |
| 저자 | 이승효, 오세현, 임상우 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | 화공소재 전반 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
