| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2021년 가을 (11/24 ~ 11/26, 경주 라한호텔) |
| 권호 | 27권 2호 |
| 발표분야 | F. 광기능/디스플레이 재료 분과 |
| 제목 | The High performance photosensitivity IGTO/SnSeO Heterojunction through a low temperature process |
| 초록 | IoT산업이 계속해서 성장함에 따라서 각종 센서와 인터넷 통신 기능이 결합되며 언제 어디서나 전자기기를 통하여 정보를 수신하는 스마트 기기를 만들고 있다. 기계의 눈이 되는 기술인 광 센서는 기술의 중심적인 역할로 높은 광 반응과 노이즈에 영향이 적은 소자를 만들고자 하며 가시광선에서 적외선까지 동시 검출 가능한 물질 및 저온 공정이 가능한 물질을 통한 제품 개발 및 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 n형 산화물 반도체 IGTO(Indium-Gallium-Tin Oxide)를 채널 층으로 이용하고 IGTO보다 좁은 밴드갭을 가지는 p형 산화물 반도체 SnSeO(Tin Oxiselenide)를 광 반응 층으로 이용하여 광 반응을 증가시켰다. P형 반도체와 n형 반도체를 이종 접합시켜 내부 전계를 형성시키며 이를 이용하여 광에 의해 생성되는 전자-정공 쌍을 분리시켜 전자를 채널 층에 주입시켜 채널 층의 전하 량을 변화시킨다. IGTO는 Wide bandgap(>3.0eV)을 통하여 낮은 off current및 좋은 안정성을 가진다는 장점을 가지나 자외선만 흡수 가능하지만 SnSeO의 경우 상대적으로 좁은 밴드 갭( |
| 저자 | 한희성, 허홍위, 정재경 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | Thin-film Phototransistor; Oxide semiconductor; Infrared; low-temperature; tin oxiselenide |
