| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 가을 (10/27 ~ 10/29, 신라대학교) |
| 권호 | 17권 2호 |
| 발표분야 | B. Nanomaterials and Processing Technology(나노소재기술) |
| 제목 | Microstructure and electrical properties of thin film aluminum capacitors fabricated by electroless Ni-P plating |
| 초록 | 최신 전자기기의 디지털화에 따라 커패시터의 소형화, 고성능화가 빠른 속도로 진행되고 있으며, 친 환경 자동차 개발에 의한 전자기기의 사용이 증가되고 있다. 전기자동차의 경우 캐패시터가 핵심 부품 중에 하나이며, 고전압, 장수명, 고신뢰성 및 초 저•고온에서의 동작 특성이 요구된다. 하지만 기존의 필름 캐패시터, 알루미늄 전해 커패시터, 탄탈 전해 캐패시터 등은 고전압화 및 대용량화, 저 ESR, 우수한 주파수 특성 및 초 저•고온 환경에서의 적용에 한계로 인해 새로운 캐패시터에 대한 연구들이 진행되고 있다. 본 연구는 전극으로 균일한 에치터널 구조를 갖는 금속 알루미늄과 유전체로 얇은 산화막을 사용하며, 에치터널 구조상의 유전체에 금속 전극을 형성하여 캐패시터를 제작하였다. 에치터널 구조를 가지는 알루미늄 기판을 이용하여, 산화막 유전체를 형성시키고, 금속 전극층을 형성하기 위해 무전해 Ni-P 도금을 진행 하였다. 다양한 무전해 Ni-P 도금 조건(온도, pH, 두께, 전처리 공정 등...)에 따른 금속 전극층 형성 및 알루미늄 박막 커패시터를 제작하였다. LCR meter를 이용한 capacitance, dissipation factor측정과 breakdown Voltage등을 측정하여 전기적 특성을 평가하였다. |
| 저자 | 이창형, ZHANG JINGJING, 서수정 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | thin film aluminum capacitors; electroless Ni-P plating |
