| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2017년 가을 (10/25 ~ 10/27, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 23권 2호, p.2056 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Development of the intersitital dominated Si crystal in Czochralski method |
| 초록 | 반도체 회로선폭이 감소함에 따라서 Czochralski법으로 제작되는 Silicon 단결정에 존재하는 결정결함의 종류와 크기는 엄격한 규격으로 관리된다. 90nm 회로선폭의 MCU(machine control unit) device에서 STI(shallow trench isolation) 이후에 mask 효과로 선택적 etching이 안되는 pin형상의 결함(이하 pin-defect)이 관찰되었다. Pin-defect는 이물로 채워진 small void 혹은 oxygen precipitate와 관련이 있으며, IDP(interstitial dominated point-defect zone) crystal을 이용하면 개선된다. 본 연구는 IDP crystal의 개발 가능성을 이론적으로 고찰하고 상업적으로 개발한 내용을 기술한다. 즉, Si-melt 대류 억제로 성장계면에 interstitial의 생성을 증가시키고, 단열이 최적화된 열차폐체로 crystal의 냉각과정을 제어하여 interstitial의 확산을 강화시켰다. 전자는 Si-melt 내측에 vertical 성분과 외측에 horizontal 성분의 자기장이 분포하는 조건에서 형성된 Lorentz force를 이용하여 전도되는 열을 강화시켰다. 후자는 열차폐체의 형상을 반경방향의 온도기울기가 최소화되도록 설계하여 성장된 crystal의 온도분포를 제어하였다. |
| 저자 | 송도원, 손수진, 정호섭, 김상희, 오현정, 이홍우 |
| 소속 | LG실트론 |
| 키워드 | 화공소재 전반 |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
