| 초록 |
펜타센 박막트랜지스터는 비정질 실리콘 수준의 높은 전하이동도를 나타내고 있지만, 유기물의 약한 분자간 인력에 의해 결정화 되므로 산소 및 수분에 의해 화학적 반응을 일으켜 소자의 수명이 현저히 저하되는 단점이 있다. 이에 최근 대두되고 있는 소자의 안정성에 대한 핵심연구들은 공기 중에서의 안정성을 향상시킬 수 있도록 반도체 및 절연막 자체의 공기 중에서의 안정성을 향상시키는 것이다. 따라서 본 연구에서는 서로 다른 성질의 게이트 절연막인 Poly(4-vinylphenol)과 Polystyrene을 사용한 소자의 공기 중에서의 전기적 안정성 및 hysteresis을 평가하여 게이트 절연막 및 반도체 물질 내부에서 일어나는 성능저하 원인을 분석하였다. 특히 수분에 의해 막대한 성능저하를 나타내는 펜타센 유기박막트랜지스터 trap state를 분석하기 위하여 hysteresis 및 전하이동도의 게이트 전압 의존성, 온도의존성 실험 등을 통해 소자에 도입된 trap state를 평가하여, 게이트 절연막 및 펜타센 박막 자체에 의한 수분영향을 고찰하였다. |
