| 초록 |
ZrO2는 SiO2를 대체할 CMOS의 gate oxide 물질로 기대되어지는 물질로서 이를 증착하는 방법 중 MOCVD, 특히 ALD가 주목받고 있다. ALD는 표면 화학에 기초하므로 전구체인 TDEAZr의 Si(100) 표면 위에서의 표면 화학을 TPD와 AES를 이용하여 해석하여 보았다. TPD 실험 결과 170K에서multilayer상태로 흡착된 TDEAZr 분자가 탈착되고, Si(100) 표면과 반응하지 않은 TDEAZr은 320K에서, 반응한 것은 430K에서 탈착되었다. Si(100) 표면에 흡착된 diethylamido ligand는 β-hydride elimination과 재결합 반응을 통해 660K에서 EtN=CHCH3과 diethylamine을 생성하고, dehydrogenation과 C-N 결합이 끊어지는 반응을 통해 CH3CN과 C2H4 그리고 수소를 각각 685K, 730K, 800K에서 형성하였다. 그러나 TDEAZr은 모두 이러한 반응을 통해 탈착되지 않고, 완전 분해 반응을 통해 표면에 탄소와 수소를 남김을 AES로 확인하였다. |
