화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2008년 가을 (11/07 ~ 11/07, 차세대융합기술연구원)
권호 14권 2호
발표분야 반도체재료
제목 RF Magnetron Sputtering을 이용한 TiO2박막 구조 및 전기적 특성에 관한 연구
초록   차세대 메모리의 조건으로는 현재 많이 사용되고 있는 SRAM, DRAM, Flash memory 등의 장점을 고루 갖추어야 하는데, 이를 만족하는 차세대 메모리 중 ReRAM(Resistance Random Access Memory)이 있다. ReRAM은 동작 속도가 빠르며, 동작 전압이 낮고, 비휘발성이며, 구조가 간단하다는 특징으로 인해 이를 응용하기 위한 많은 연구가 이루어지고 있다.  
  보통 ReRAM 소자에서 많이 사용하는 물질은 금속산화물 계열의 물질이 사용되고 있는데, TiO2는 ReRAM 소자에서 사용하는 대표적인 물질이다. 본 연구에서는 TiO2 Target을 RF Magnetron Sputtering을 통해 증착하였고, 제작된 ReRAM 소자의 크기 및 열처리 조건 변화에 따른 전기적 특성을 평가하였다.  
저자 황선용, 정호용, 이헌
소속 고려대
키워드 ReRAM; TiO2; RF Magnetron Sputtering
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