| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2017년 봄 (05/17 ~ 05/19, 목포 현대호텔) |
| 권호 | 23권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | 미스트 CVD (Mist-CVD) 방식으로 증착한 리튬 비율 증가에 따른 산화물 아연 주석 (Li-ZTO) 박막 및 박막 트랜지스터의 특성 변화 |
| 초록 | 미스트 CVD (Mist-CVD) 는 스핀코팅(Spin-coating) 공정 대비 우수한 두께 조절, 친환경 용매 사용 및 상대적으로 낮은 공정온도에서 제작이 가능하다는 장점을 지니고 있다. 또한, 기존 진공 장비 대비 낮은 제작 비용 및 유지 비용, 쉬운 제작 과정이 가능하다는 장점도 지니고 있다. 산화물 반도체는 기존 비정질 실리콘(a-Si) 대비 우수한 전기적 특성을, 다결정 실리콘(p-Si) 대비 값싼 제조원가 및 대면적에 용이하다는 장점을 지니고 있다. 본 포스터에서는 용액에 포함된 리튬(Li)의 농도에 따른 산화 아연 주석 (ZTO) 박막 트랜지스터의 특성 변화를 관찰하였다. Li 프리커서(Precursor) 의 농도를 1%로부터 15%까지 조절한 용액을 각각 준비한 후, Mist-CVD를 이용하여 350도 증착온도에서 20nm 정도의 박막을 형성하였다. 이후 박막 기본 특성, 박막 결정 분석, 전기적 특성 및 조성 분석을 진행하였다. 또한 Li-ZTO의 트랜지스터 특성을 확인하기 위하여 P++-Si/SiO2(100nm) 기판을 각각 게이트 전극, 게이트 절연체로 사용하고, 그 위에 Mist-CVD를 이용하여 Li-ZTO (20nm) 박막을 350도에서 증착하였다. 이후 RF 스퍼터링 방식을 이용하여 소스/드레인 전극을 증착한 후 추가 열처리를 350도에서 진행하였다. 리튬 %가 증가함에 따라 특정 분율에서의 전기적 특성 및 트랜지스터 특성이 가장 좋고, 이후 비율이 증가함에 따라서 특성이 열화됨을 확인할 수 있었다. 이는 리튬이 특정 분율에서는 도핑 형식으로 들어가다가 이후부터는 불순물로 작용함을 확인할 수 있었다. |
| 저자 | 정현준, 김동현, 박진성 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | <P>상압공정; CVD; 산화물 반도체; 박막 트랜지스터; </P> |
