| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2013년 봄 (05/23 ~ 05/24, 여수 엠블호텔(THE MVL)) |
| 권호 | 19권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | r-plane 사파이어 기판 위에 성장시킨 a-plane GaN의 탄질화를 통한 ELOG 방법 |
| 초록 | 현재 보편적인 ELOG 성장 법은 Dislocation density 감소를 위해 SiO2 Mask를 적용하고 있으나 이 새로운 ELOG에 대한 접근법은 대체 물질로 탄질화 PR 적용을 제시한다. 기존 방식에 비해 2단계의 Process Step Skip이 가능하며, Dry Etch Plasma에 의한 표면 Damage 개선이 가능하다. 탄질화 방법은 사파이어 기판에 Positive PR(AZ-1512)을 Patterning 후 일반적으로 열화학적 처리에 사용되는 1100-1140°C에서 PR 탄화 및 표면 NH3 처리를 통해 진행하였다. 광학 현미경 확인 결과 Pin hole, particle, contamination, hill lock등은 관찰 되지 않았고, 표면 Morphology는 SEM 및 AFM을 통해 분석 하였으며, 표면에 Pit 이나 특이한 변형은 없었다. 증착 성장된 층의 특성은 UHV condition 하에서 XPS 장비로 분석 진행 하였다. |
| 저자 | 이창민, 이제행, 이도한, 김대식, 조성찬, 변동진 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | GaN; Carbonization; MOCVD |
