| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2013년 봄 (05/23 ~ 05/24, 여수 엠블호텔(THE MVL)) |
| 권호 |
19권 1호 |
| 발표분야 |
F. 광기능/디스플레이 재료(Optical Functional and Display Materials) |
| 제목 |
PSS 상에서 성장된 AlGaN 박막의 coalescence에 관한 연구 |
| 초록 |
AlGaN은 조성에 따라 3.4~6.2eV의 bandgap을 가지는 물질로 UV나 blue 등 단파장용 LED에 널리 사용되는 물질이다. 이를 이용한 LED 소자 형성시 일반적으로 sapphire 상에 MOCVD를 사용하게 되는데, 이 때 pattern이 형성된 sapphire (Patterned Sapphire Substrate, PSS)을 사용하면 광 추출 효율을 높일 수 있다. 하지만 기판 상에 요철이 있을 경우 coalescence가 잘 되지 않아 박막의 roughness가 증가하고 hole이 생기는 등 박막의 품질이 떨어지게 된다. 이를 극복하기 위하여 성장시 소량의 silicon을 첨가하여 이러한 문제를 해결하였으며, laser reflectance를 사용하여 성장 메커니즘에 대해 설명하였다. |
| 저자 |
이도한1, 문성욱1, 박기선1, 조성찬1, 김원호2, 홍정엽2, 변동진1
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| 소속 |
1고려대, 2LG Innotek |
| 키워드 |
AlGaN; UV LED; MOCVD
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| E-Mail |
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