| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2013년 가을 (11/06 ~ 11/08, 제주롯데호텔) |
| 권호 |
19권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 |
The effect of AlN Buffer Layer in GaN films on Patterned Sapphire Substrate |
| 초록 |
현재 보편적인 GaN의 성장은 Sapphire Substrate 위에 GaN Buffer layer를 적용하고 있으며 109~1010/cm2 수준의 Dislocation density를 가진다. 우리는 LED 소자의 광추출 효율 향상 및 박막특성 개선을 위해 Patterned Sapphire Substrate에 AlN Buffer를 적용 후 GaN 성장을 진행 하였다. PSS를 적용 함으로써 광추출 효율을 향상 시킬 수 있음은 이미 검증된 사실 이며, 추가로 GaN Buffer 대신 AlN Buffer를 적용 하여 보다 막 특성이 균일하고 Dislocation이 적은 GaN 성장이 가능하였다. AlN Buffer는 Sputter을 통해 증착 하였으며, Buffer 층 두께는 25~300nm split 진행 후 1070℃에서 GaN 1차 성장 및 XRD 분석을 통해 25nm로 결정 하였다. PSS에 GaN Buffer, AlN Buffer, AlN + GaN Buffer 조건을 압력(85~300torr) 및 온도 변화(1020~1100°C) 를 통한 ELOG 성장을 진행 하였다. 광학 현미경 확인 결과 Pin hole, particle, contamination, hill lock등은 관찰 되지 않았으며, 표면 Morphology는 SEM 및 AFM을 통해 분석 하였으며, 표면에 Pit 이나 특이한 변형은 없었다. 각 조건 별 증착 성장된 층의 최종 특성은 XRD 및 CL 장비로 분석 진행 하였다. |
| 저자 |
이창민, 이제행, 이도한, 김대식, 강병훈, 조성찬, 변동진
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
GaN; AlN
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| E-Mail |
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