학회 | 한국재료학회 |
학술대회 | 2010년 가을 (11/11 ~ 11/12, 무주리조트) |
권호 | 16권 2호 |
발표분야 | A. Information and Sensor Materials(정보소재 및 센서) |
제목 | ZnO 박막의 급속열처리에 따른 전기적 특성 |
초록 | 이 연구에서는 RF 스퍼터링 방법으로 p-Si(001)기판 위에 ZnO 박막을 증착한 후 급속열처리하고, 열처리 조건에 따른 전기적 특성을 조사하였다. ZnO 박막은 RF 스퍼터링 장치에서 초기진공도 2.0*10-6 Torr Ar 가스를 주입하여 작업진공도를 2.0*10-2 Torr로 안정화 시킨 후, 기판을 250 ℃의 온도로 가열하고 RF Power를 200W로 인가하여 90 분 동안 약 100 nm의 두께로 증착시켰다. 증착된 박막의 열처리는 급속열처리장치에서 질소가스를 100 sccm으로 공급하면서 300~500℃의 온도범위에서 30초 동안 수행하였다. 박막의 전기적 특성은 4-point prove를 이용하여 측정하였고, Elipsometer를 이용하여 박막의 두께 및 광학적 성질을 조사하였다. 열처리된 ZnO 박막의 면저항은 열처리 전에는 12.39 kΩ의 값을 보였으나 500℃로 열처리한 박막의 경우 60.33kΩ으로 증가하는 경향을 보였다. |
저자 | 조영범1, 김준2, 변창섭1, 김선태2 |
소속 | 1한밭대, 2정보전자부품소재(연) |
키워드 | ZnO; RF Sputter; Rapid Thermal Annealing |