| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 |
11권 2호 |
| 발표분야 |
나노 및 생체재료 |
| 제목 |
Si 기판에서의 기공형 알루미늄 산화 피막 제조 인자 |
| 초록 |
규칙적으로 정렬된 기공형 알루미늄 산화 피막은 기공의 길이나 기공의 넓이를 쉽게 조절 할 수 있어 금속이나 반도체, 금속산화물 등의 다양한 크기의 나노 와이어나 나노 튜브를 제조하는 템플레이트로 활용가치가 높다. 최근에는 금속을 채워 테라비트 메모리 소자로 활용하는 연구가 활발하다. 이러한 기공형 알루미늄 산화 피막은 Al의 양극산화 과정에서 생성되는 Al2O3가 자기 정렬을 하는 특성이 있고 안정된 상태로 있으려는 성질로 인해 가장 안정적인 육각형 구조로 배열이 된 자기 집합구조를 가진다. 본 연구에서는 이러한 성질의 기공형 알루미늄 산화 피막을 메모리 소자로 활용하기 위해 Si 웨이퍼 위에 Al을 증착한 후 도메인을 넓히기 위하여 열처리를 하였으며 양극산화 방법을 사용하여 템플레이트를 제조하였으며 템플레이트 장벽층의 두께를 최소화 하기 위해 양극산화 후 와이드닝 방법으로 두께를 최소화 하였다. 규칙정렬 정도를 확인하기 위해서 FE-SEM을 이용하여 분석하였고 장벽층의 두께를 알아보기 위하여 TEM을 사용하여 분석하였다. |
| 저자 |
허창회1, 기범수1, 권소현1, 정용수2, 서수정3, 오한준4, 지충수1
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| 소속 |
1국민대, 2KIMM, 3성균관대, 4한서대 |
| 키워드 |
Si substrate; template; aluminum; porous aluminum oxide
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| E-Mail |
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